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CSD19502Q5BT

功能描述：MOSFET N-CH 80V 100A SON5X6

制造商：texas instruments

系列：NexFET??

包装：剪切带（CT）

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：80V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：100A（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：4.1 毫欧 @ 19A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：62nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4870pF @ 40V

功率 - 最大值：3.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：8-VSON（5x6）

标准包装：1

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